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[发明专利]高电压源的切换电路-CN200610081374.6有效
发明人：黄志丰;杨大勇 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2006-05-22 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明是有关于一种高电压源的切换电路，其包含有一接面场效电晶体、一阻抗装置、一第一电晶体与一第二电晶体，接面场效电晶体耦接一高电压源，第一电晶体串联于接面场效电晶体，以依据高电压源输出一电压，第二电晶体耦接第一电晶体并依据一控制讯号控制第一电晶体与接面场效电晶体，阻抗装置耦接接面场效电晶体与第一电晶体，当第二电晶体截止时，阻抗装置提供一偏压，以使接面场效电晶体与第一电晶体导通，当第二电晶体导通时，第一电晶体截止，且接面场效电晶体为负偏压状态。
电压切换电路

[实用新型]高电压源的切换电路-CN200620116171.1无效
发明人：黄志丰;杨大勇 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2006-05-22 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H02M3/00 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种高电压源的切换电路，其包含有一接面场效电晶体、一阻抗装置、一第一电晶体与一第二电晶体，接面场效电晶体耦接一高电压源，第一电晶体串联于接面场效电晶体，以依据高电压源输出一电压，第二电晶体耦接第一电晶体并依据一控制讯号控制第一电晶体与接面场效电晶体，阻抗装置耦接接面场效电晶体与第一电晶体，当第二电晶体截止时，阻抗装置提供一偏压，以使接面场效电晶体与第一电晶体导通，当第二电晶体导通时，第一电晶体截止，且接面场效电晶体为负偏压状态。
电压切换电路

[发明专利]功率转换器的启动电路-CN200610109719.4有效
发明人：杨大勇;黄志丰 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2006-08-07 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H02M7/515 文献下载
摘要：本发明是有关于一种功率转换器的启动电路，其包含有一第一电晶体、一阻抗装置、一第二电晶体、一第三电晶体与一二极体。第一电晶体耦接一电压源。第三电晶体串联于第一电晶体，以依据电压源输出一供应电压至功率转换器的一控制电路。二极体耦接于功率转换器的一变压器绕组与控制电路，以供应另一供应电压至控制电路。第二电晶体依据一控制讯号控制第一电晶体与第三电晶体。阻抗装置耦接第一电晶体与第三电晶体。当第二电晶体截止时，阻抗装置提供一偏压，以使第一电晶体与第三电晶体导通；当第二电晶体导通时，第三电晶体截止，且第一电晶体为负偏压状态。
功率转换器启动电路

[发明专利]功率转换器的高压启动电路-CN200610081375.0有效
发明人：黄志丰;杨大勇 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2006-05-22 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本发明是有关于一种功率转换器的高压启动电路，其包含有一接面场效电晶体、一阻抗装置、一第一电晶体、一第二电晶体与一二极体。接面场效电晶体耦接一电压源。第一电晶体串联于接面场效电晶体，以依据电压源输出一供应电压至功率转换器的一控制电路。二极体耦接于功率转换器的一变压器绕组与控制电路之间，以供应另一供应电压至控制电路。第二电晶体依据一控制讯号控制第一电晶体与接面场效电晶体。阻抗装置耦接接面场效电晶体与第一电晶体。当第二电晶体截止时，阻抗装置提供一偏压，以使接面场效电晶体与第一电晶体导通；当第二电晶体导通时，第一电晶体截止，且接面场效电晶体为负偏压状态。
功率转换器高压启动电路

[实用新型]功率转换器的启动电路-CN200620123105.7无效
发明人：杨大勇;黄志丰 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2006-08-07 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种功率转换器的启动电路，其包含有一第一电晶体、一阻抗装置、一第二电晶体、一第三电晶体与一二极体。第一电晶体耦接一电压源。第三电晶体串联于第一电晶体，以依据电压源输出一供应电压至功率转换器的一控制电路。二极体耦接于功率转换器的一变压器绕组与控制电路，以供应另一供应电压至控制电路。第二电晶体依据一控制讯号控制第一电晶体与第三电晶体。阻抗装置耦接第一电晶体与第三电晶体。当第二电晶体截止时，阻抗装置提供一偏压，以使第一电晶体与第三电晶体导通；当第二电晶体导通时，第三电晶体截止，且第一电晶体为负偏压状态。
功率转换器启动电路

[实用新型]功率转换器的高压启动电路-CN200620116172.6无效
发明人：黄志丰;杨大勇 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2006-05-22 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H02M3/00 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种功率转换器的高压启动电路，其包含有一接面场效电晶体、一阻抗装置、一第一电晶体、一第二电晶体与一二极体。接面场效电晶体耦接一电压源。第一电晶体串联于接面场效电晶体，以依据电压源输出一供应电压至功率转换器的一控制电路。二极体耦接于功率转换器的一变压器绕组与控制电路之间，以供应另一供应电压至控制电路。第二电晶体依据一控制讯号控制第一电晶体与接面场效电晶体。阻抗装置耦接接面场效电晶体与第一电晶体。当第二电晶体截止时，阻抗装置提供一偏压，以使接面场效电晶体与第一电晶体导通；当第二电晶体导通时，第一电晶体截止，且接面场效电晶体为负偏压状态。
功率转换器高压启动电路

[发明专利]MOS电晶体静电保护电路与电子装置-CN202011111682.5有效
发明人：朴珉晧 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种MOS电晶体静电保护电路与电子装置。该MOS电晶体静电保护电路包括：MOS电晶体；控制单元，与MOS电晶体有线连接或者无线连接，用于延长流过MOS电晶体的预定电荷量的时间，以使得单位时间内流过MOS电晶体的电荷量减小，以使得加载在MOS电晶体上的电压的最大值小于MOS电晶体的击穿电压。本方案采用控制单元延长流过MOS电晶体的预定电荷量的时间，以使得单位时间内流过MOS电晶体的电荷量减小，以使得加载在MOS电晶体上的电压的最大值小于MOS电晶体的击穿电压，即使静电电压较大时，MOS电晶体也不会被击穿，实现了静电电压较大时对MOS电晶体的保护。
mos 电晶体静电保护电路电子装置

[实用新型]电力开关装置-CN201320092984.1有效
发明人：孟祥集;张天健 -专利权人：力祥半导体股份有限公司
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：电力开关装置包含基板、第一电晶体及第二电晶体。基板具有第一焊垫、第二焊垫及第三焊垫。第一电晶体具有第一表面与第二表面。第一电晶体的源极形成于第一电晶体的第一表面。第二电晶体为横向扩散金属氧化物半导体场效电晶体。第二电晶体具有第一表面与第二表面。第二电晶体的汲极形成于第二电晶体的第一表面。第一电晶体的第二表面耦接第一焊垫，第二电晶体的第二表面耦接第二焊垫，第三焊垫耦接第一电晶体的源极与第二电晶体的汲极。
电力开关装置

[实用新型]MOS电晶体静电保护电路与电子装置-CN202022312775.6有效
发明人：朴珉晧 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种MOS电晶体静电保护电路与电子装置。该MOS电晶体静电保护电路包括：MOS电晶体；控制单元，与MOS电晶体有线连接或者无线连接，用于延长流过MOS电晶体的预定电荷量的时间，以使得单位时间内流过MOS电晶体的电荷量减小，以使得加载在MOS电晶体上的电压的最大值小于MOS电晶体的击穿电压。本方案采用控制单元延长流过MOS电晶体的预定电荷量的时间，以使得单位时间内流过MOS电晶体的电荷量减小，以使得加载在MOS电晶体上的电压的最大值小于MOS电晶体的击穿电压，即使静电电压较大时，MOS电晶体也不会被击穿，实现了静电电压较大时对MOS电晶体的保护。
mos 电晶体静电保护电路电子装置

[发明专利]电容器-CN201910264732.4有效
发明人：陈禀亮;简兆良;汤士逸 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种电容器，包括第一电晶体、第二电晶体以及控制电路。第一电晶体的第一端耦接至所述电容器的第一端。第二电晶体的第一端耦接至所述电容器的第二端。在正常模式中，控制电路导通第一电晶体以及第二电晶体，第二电晶体的第二端经由控制电路耦接至第一电晶体的控制端，以及第二电晶体的控制端经由控制电路耦接至第一电晶体的第二端。在省电模式中，控制电路截止第一电晶体以及第二电晶体。
电容器

[发明专利]一种大厚度周期极化铁电晶体材料的制备方法-CN201110431555.8有效
发明人：郑婉华;马传龙;范学东;马绍栋;齐爱谊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明公开了一种大厚度周期极化铁电晶体材料的制备方法，包括：在铁电晶体材料的+z面蒸镀透明电极；将该蒸镀有透明电极的铁电晶体材料的+z面与另一铁电晶体材料的+z面进行键合，得到复合铁电晶体；在该复合铁电晶体上下两面均蒸镀金属电极，然后对蒸镀金属电极的复合铁电晶体进行极化，得到大厚度周期极化铁电晶体材料。利用本发明，可制备出大厚度周期极化铁电晶体材料。
一种厚度周期极化电晶体材料制备方法

[发明专利]切换式电源供应器的高压启动装置-CN201010570422.4无效
发明人：周保助 -专利权人：矽创电子股份有限公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：一种切换式电源供应器的高压启动装置包含一高压启动电路，其包含：一金属氧化半导体电晶体、一电压调整单元及一电晶体。将一电源电流输入至该金属氧化半导体电晶体。该电压调整单元连接该金属氧化半导体电晶体，以便该电压调整单元调整该金属氧化半导体电晶体的电压。该电晶体连接至该金属氧化半导体电晶体的闸极。当该金属氧化半导体电晶体的闸极形成导通时，一充电电流流经该金属氧化半导体电晶体及二极管，并对一电容进行充电。当充电该电容至一预定电压时，控制导通该电晶体，以便关闭该金属氧化半导体电晶体，并截止该充电电流。
切换电源供应高压启动装置

[发明专利]一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法-CN201110241438.5无效
发明人：郑婉华;马传龙;范学东;渠红伟;彭红玲;王海玲;马绍栋 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C30B30/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶体材料处理技术领域，公开了一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法，包括：在铁电晶体材料上施加高脉冲电压，将该铁电晶体材料极化为周期性反转铁电晶体；以及对该周期性反转铁电晶体进行切割、抛光和对准键合，完成大厚度周期极化铁电晶体材料的制备。利用本发明可制备出大厚度的周期极化铁电晶体材料。
一种制备厚度周期极化电晶体材料方法

[实用新型]激光二极管驱动电路的改良-CN02233788.1无效
发明人：叶云烜 -专利权人：李金传
申请日： 2002-05-22 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本实用新型是一种激光二极管驱动电路的改良，包括直流电源、激光二极管、第一电阻器、第一电容器、第一电晶体、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器、第二电晶体、第五电阻器、第三电晶体、第四电晶体及第五电晶体，其特征在于该第四电晶体的基极耦接至集极以作为一二极管使用，该第四电晶体的射极耦接至该第五电晶体的基极，该第五电晶体的射极接地，利用该第四电晶体的基极至射极的0.6伏特压降加上该第五电晶体的基极至射极的0.6伏特压降构成1.2伏特的保护电压，当该第四电晶体的基极输入电压超过1.2伏特时使该第四电晶体及该第五电晶体导通并使该激光二极管关闭，以达到保护该激光二极管的目的。
激光二极管驱动电路改良

[实用新型]具有多晶体蜂鸣器驱动电路的蜂鸣器电路及其驱动电路-CN202220166699.9有效
发明人：张华锜 -专利权人：志丰电子股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G10K9/125 文献下载
摘要：本实用新型为一种具有多晶体蜂鸣器驱动电路的蜂鸣器电路及其驱动电路，其中蜂鸣器电路包括：蜂鸣器；以及多晶体蜂鸣器驱动电路，包括：分压控制模块，由电阻串联第一NPN电晶体；以及驱动放大模块，由第二NPN电晶体串联PNP电晶体，而第二NPN电晶体的集极电性连接电阻的第一端部，第二NPN电晶体的基极电性连接第一NPN电晶体的集极，又PNP电晶体的基极电性连接第二NPN电晶体的基极，PNP电晶体的集极电性连接第一NPN电晶体的射极。
具有多晶体蜂鸣器驱动电路及其

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